揭秘TurboWrite写入暴增的秘密

3bit MLC闪存对容量翻倍做出巨大贡献的同时，它带来更高延迟，整体性能颇受影响，在随机写入时这种影响尤为突出。

上代840系SSD更多是依靠主控的多通道技术来弥补不足，结果却是顾此失彼，特别是在120GB/250版本，其写入速度只有可怜的140MB/秒、250MB/秒。

三星840 EVO 120GB SSD

为此三星在840 EVO加入了TurboWrite技术，讲的通俗一些就是高性能缓冲技术，可以在固态硬盘比较空闲的时候将其中的数据传给硬盘。

各容量SSD实际缓存容量

TurboWrite缓冲器的容量依型号而不同，比如1TB里划分出来了36GB，但是按照“3bit MLC”和“1bit SLC”的对应关系，实际能缓冲的数据量最多为12GB(3：1比例)。

三星840 EVO 250GB拥有256GB闪存，其中6GB用作模拟SLC缓存，因此实际容量为250GB。我们以“三星840系250GB”和“840 EVO 250GB”SSD进行读写速度对比：

三星840系250GB SSD

三星840 EVO 250GB SSD

两者的读取速度非常出色，而三星840 EVO 250GB SSD的写入速度可用飞跃式提升来形容，超出前辈2倍不止。从理论上讲，如果缓冲区写满了，继续写入的话性能就会跌到普通水平，等到缓冲区再度空闲性能又可以再次得到提升。